Компания SK hynix на мероприятии SK AI Summit в Сеуле (Южная Корея) сообщила о разработке первых в отрасли 16-ярусных чипов памяти HBM3E, ёмкость которых составляет 48 Гбайт. Клиенты получат образцы таких изделий в начале 2025 года.

Генеральный директор SK hynix Квак Но-Джунг (Kwak Noh-Jung) сообщил, что компания намерена трансформироваться в поставщика ИИ-памяти «полного стека». Ассортимент продукции будет охватывать изделия всех типов — от DRAM до NAND. При этом планируется налаживание тесного сотрудничества с заинтересованными сторонами.

Источник изображения: techpowerup.com

При производстве 16-Hi HBM3E компания будет применять передовую технологию Advanced MR-MUF, которая ранее использовалась при изготовлении 12-слойных продуктов. Память рассчитана на высокопроизводительные ИИ-ускорители. Утверждается, что 16-ярусные изделия по сравнению с 12-слойными аналогами обеспечивают прирост быстродействия на 18 % при обучении ИИ-моделей и на 32 % при инференсе.

SK hynix намерена предложить заказчикам кастомизируемые решения HBM с оптимизированной производительностью, которые будут соответствовать различным требованиям к ёмкости, пропускной способности и функциональности. Плюс к этому SK hynix планирует интегрировать логику непосредственно в кристаллы HBM4. Ранее говорилось, что компания рассчитывает начать поставки памяти HBM4 заказчикам во II половине 2025 года.

В числе других готовящихся продуктов SK hynix упоминает модули LPCAMM2 (Compression Attached Memory Module 2) для ПК и ЦОД, решения LPDDR5 и LPDDR6 с технологией производства 1c-класса, SSD с интерфейсом PCIe 6.0, накопители eSSD и UFS 5.0 большой вместимости на основе чипов флеш-памяти QLC NAND.

Производитель электромобилей и разработчик других умных машин Tesla обсуждает с южнокорейской SK Hynix возможный заказ SSD корпоративного класса на сумму ₩1 трлн (около $725 млн), передаёт The Korea Economic Daily.

Solidigm, дочерняя компания SK hynix, отмечает, что без ёмких и быстрых SSD работа с ИИ невозможна. Предполагается, что Tesla столь большая закупка SSD нужен как раз для развития ИИ-инфраструктуры. Компания вот-вот запустит ИИ-кластер из 50 тыс. NVIDIA H100. Также у неё есть собственный ИИ-суперкомпьютер Dojo, а в целом в этом году капитальные затраты за год, как ожидается, превысят $11 млрд. Значительная часть из них уйдёт как раз на ИИ ЦОД.

Как уточняет ресурс Blocks & Files, поставщиками All-Flash СХД для обеих систем являются несколько вендоров. В данном случае, судя по всему, идёт закупке QLC-накопителей D5-P5336 ёмкостью 61,44 Тбайт. За указанную сумму можно приобрести порядка 100–200 тыс. накопителей суммарной ёмкостью от 10 Эбайт — конкретные значения будут зависеть от размера скидки, а при такой крупной закупке она обязательно будет.

Источник изображения: Tesla

На прошлой неделе SK hynix заявила, что в III квартале она практически удвоила прибыль. SK Hynix намерена наращивать инвестиции в чипы, связанные с ИИ-технологиями — SSD и HBM. Ожидается, что спрос на них и в следующем году будет весьма высок. В компании игнорируют опасения отраслевых экспертов, предрекающих «зиму» спроса на чипы памяти. Наоборот, компания рассчитывает на дефицит поставок памяти для ИИ-ускорителей из-за огромного спроса на соответствующую продукцию.

Компания SK hynix объявила о разработке высокопроизводительных SSD семейства PEB110, предназначенных для применения в дата-центрах. Утверждается, что эти накопители обеспечивают двукратный рост производительности и более чем 30-% улучшение энергоэффективности по сравнению с изделиями предыдущего поколения.

Новинки, выполненные в форм-факторе E1.S, оснащены интерфейсом PCIe 5.0. Вместимость составляет 2, 4 и 8 Тбайт. Накопители выполнены на основе 238-слойных чипов флеш-памяти 4D NAND. Говорится о поддержке спецификации OCP 2.5. Кроме того, упомянута технология SPDM (Security Protocol and Data Model): она отвечает за безопасную аутентификацию и мониторинг серверов. Прочие технические характеристики пока не раскрываются.

Источник изображения: SK hynix

SSD серии PEB110 ориентированы на работу с ресурсоёмкими ИИ-приложениями. В настоящее время устройства проходят квалификацию у потенциальных заказчиков из числа крупных операторов ЦОД. Массовое производство накопителей планируется организовать во II квартале 2025 года.

«Новый продукт создан на основе лучшей в своём классе памяти 4D NAND, которая может похвастаться самыми высокими в отрасли показателями производительности, качества и стоимости», — говорит Ан Хён (Ahn Hyun), глава подразделения N-S Committee в составе SK hynix.

Компания SK hynix отрапортовала о работе во II четверти 2024 года. Выручка южнокорейского производителя чипов памяти составила ₩16,42 трлн (корейских вон), или приблизительно $11,86 млрд. Это является абсолютным рекордом. Для сравнения: годом ранее показатель равнялся ₩7,31 трлн, или $5,29 млрд. Таким образом, рост в годовом исчислении оказался на уровне 125 %.

SK hynix связывает резкое увеличение денежных поступлений с двумя факторами. Это, в частности, общее повышение цен на память DRAM и NAND. Кроме того, наблюдается растущий спрос на высокоскоростные изделия HBM на фоне бума ИИ и стремительного развития генеративных сервисов.

Источник изображения: SK hynix

Операционная прибыль SK hynix во II квартале 2024 года составила ₩5,47 трлн ($3,96 млрд), что является самым высоким показателем с III квартала 2018 года. Чистая прибыль зафиксирована на отметке ₩4,12 трлн ($2,97 млрд), тогда как годом ранее компания понесла чистые убытки в размере ₩2,99 трлн.

Продажи чипов HBM подскочили более чем на 80 % по сравнению с I четвертью 2024 года и более чем на 250 % по сравнению со II кварталом 2023-го. Вместе с тем продажи SSD корпорактивного класса в квартальном исчислении поднялись примерно на 50 %. Компания отмечает, что средняя цена реализации продуктов NAND продолжает увеличиваться с IV квартала 2023 года.

SK hynix планирует укреплять позиции на рынке HBM. В частности, готовится массовое производство 12-слойных изделий HBM3E, образцы которых компания предоставила клиентам в III квартале прошлого года. Кроме того, во II половине 2024-го SK hynix планирует выпустить чипы DDR5 DRAM ёмкостью 32 Гбит для серверов и модули MCR DIMM для НРС-систем.

Южнокорейская компания SK hynix планирует выделить в период до 2028 года ₩103 трлн ($74,6 млрд) в укрепление своего бизнеса по производству чипов, сосредоточив внимание на ИИ-направлении, пишет агентство Reuters со ссылкой на заявление холдинга SK Group. Как сообщает Bloomberg, значительная часть этой суммы — ₩82 трлн ($59,5 млрд) — будет инвестирована в производство памяти HBM.

Дочерние предприятия SK Telecom и SK Broadband в рамках развёртывания ИИ-технологий инвестируют ₩3,4 трлн ($2,5 млрд) в свои ЦОД. В свою очередь, SK Group планирует привлечь к 2026 году ₩80 трлн ($56 млрд) для инвестиций в основном в ИИ и полупроводники, стремясь закрепить позицию своего подразделения по производству чипов в качестве ключевого поставщика памяти для NVIDIA и других игроков рынка ИИ.

Второй по величине конгломерат Южной Кореи объявил, что в результате двухдневной встречи топ-менеджеров с участием главы SK Group Чей Тэ Вона (Chey Tae-won) в минувшие выходные было решено, что холдинг будет использовать средства, полученные за счёт повышения прибыльности и оптимизации структуры бизнеса для инвестиций в производство памяти HBM и чипов, а также в ЦОД и персонализированных ИИ-ассистентов. «Поскольку наступил новый переходный период, нам нужны упреждающие и существенные изменения, чтобы подготовиться к будущему», — заявил Чей Тэ Вон.

Источник изображения: SK hynix

SK hynix является основным поставщиком чипов HBM для ускорителей NVIDIA. Её акции в этом году подскочили на 65 %, в то время как у её более крупного конкурента Samsung Electronics акции выросли в цене с начала года на 4 %. Samsung, крупнейший в мире производитель чипов памяти, также выпускает HBM, равно как и американская компания Micron, которая также стремится увеличить долю на этом рынке. Аналитики утверждают, что SK hynix по-прежнему лидирует в области технологии стекирования микросхем, которая используется в HBM.

В ходе встречи топ-менеджеры также договорились предпринять поэтапные шаги по доведению количества дочерних компаний в SK Group до «управляемого диапазона», не уточнив масштабы сокращения. Как сообщает Nikkei Asia со ссылкой на правительственные данные, по состоянию на май у холдинга было 219 «дочек» с совокупными активами в ₩334,4 трлн (около $240 млрд). В частности, по настоянию SK hynix будут объединены ИИ-стартапы Sapeon и Rebellions.

Компания SK hynix, по сообщению The Register, получила заказы на весь объём памяти HBM, запланированный к выпуску в 2024 году, и на основную часть этих чипов, которые будут произведены в 2025-м. Спрос на изделия HBM быстро растёт на фоне стремительного развития ИИ-рынка.

SK hynix объявила на пресс-конференции в своей штаб-квартире в Ичхоне (Южная Корея) о намерении расширить производство микросхем HBM. Генеральный директор компании Квак Но-чжун (Kwak Noh-jung) заявил, что выпуск изделий данного типа удастся значительно нарастить после завершения строительства новых предприятий в Южной Корее и США.

Источник изображения: SK hynix

SK hynix является основным поставщиком памяти HBM для ускорителей NVIDIA, с поставками которых наблюдаются сложности из-за высокого спроса со стороны облачных провайдеров и операторов дата-центров, ориентированных на ИИ-нагрузки. Квак Но-чжун прогнозирует, что в среднесрочной и долгосрочной перспективе среднегодовой прирост потребности в чипах HBM будет составлять около 60 %. Это связано с увеличением объёмов генерируемых данных и повышением сложности ИИ-моделей.

До конца мая SK hynix планирует предоставить клиентам образцы памяти HBM пятого поколения — 12-слойные изделия HBM3E. Массовый выпуск такой продукции компания наметила на III квартал 2024 года. Недавно SK hynix заявила, что планирует инвестировать более $14,5 млрд в новый корейский завод M15X по производству чипов памяти. Первоначально планировалось, что это предприятие будет выпускать изделия NAND, но затем было решено переориентировать его мощности под выпуск DRAM.

В марте сообщалось, что компания Micron Technology, приступившая в феврале к массовому производству памяти HBM3E, уже получила контракты на весь объём поставок этих изделий до конца 2024 года, а также на большую часть поставок в 2025 году.

Компания SK hynix опубликовала отчёт о работе в IV квартале и 2023 году в целом. Отмечается, что ситуация на глобальном рынке памяти начала стабилизироваться: этому, в частности, способствует высокий спрос на ИИ-серверы. В результате, средняя стоимость чипов увеличилась, и SK hynix смогла нарастить продажи к концу года.

Выручка за последнюю четверть 2023-го составила ₩11,31 трлн, или приблизительно $8,47 млрд. Это на 47 % больше по сравнению с показателем за аналогичный период предыдущего года. При этом компания понесла чистые убытки в размере ₩1,38 трлн (около $1,03 млрд). Годом ранее убытки были больше — примерно ₩2,19 трлн ($1,64 млрд).

Источник изображения: SK hynix

По итогам 2023 года в целом продажи SK hynix составили ₩32,77 трлн (приблизительно $24,54 млрд). По сравнению с 2022 годом зафиксировано падение на уровне 27 %. Компания понесла чистые убытки в размере ₩9,14 трлн ($6,84 млрд), тогда как годом ранее была показана чистая прибыль в ₩2,24 трлн ($1,68 млрд).

SK hynix заявляет, что продажи её основных продуктов — изделий DDR5 и HBM3 — к концу 2023 года выросли более чем в четыре и пять раз соответственно по сравнению с 2022-м. При этом в сегменте NAND, где восстановление происходит относительно медленно, компания уделяет основное внимание оптимизации инвестиций и затрат.

SK hynix сфокусирует усилия на массовом производстве памяти HBM3E, которая востребована на рынке ИИ-систем. Кроме того, продолжится разработка HBM4. На рынки серверов и мобильных устройств компания намерена поставлять высокопроизводительные продукты DDR5 и LPDDR5T большой ёмкости.

Компания SK hynix объявила о разработке самой высокопроизводительной в мире памяти HBM3E, предназначенной для использования в современных ИИ-системах. Образцы изделий уже поставляются отдельным заказчикам для оценки технических характеристик.

HBM3E — это пятое поколение памяти данного типа, приходящее на смену изделиям HBM, HBM2, HBM2E и HBM3. HBM3E представляет собой улучшенную версию HBM3. Массовое производство HBM3E компания SK hynix намерена организовать в первой половине следующего года.

Источник изображения: SK hynix

По заявлениям разработчика, память HBM3E соответствует самым высоким отраслевым стандартам скорости передачи данных. Таким образом, изделия подходят для применения в наиболее нагруженных ИИ-платформах. Кроме того, при создании памяти были учтены жёсткие требования в плане рассеяния тепла. Утверждается, что изделия HBM3E способны перемещать информацию со скоростью до 1,15 Тбайт/с.

При изготовлении чипов компания SK hynix применяет технологию Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF), представляющую собой метод объединения нескольких чипов памяти на одной подложке посредством спайки. Это даёт возможность улучшить теплоотведение приблизительно на 10%. Говорится об обратной совместимости с HBM3, что упрощает внедрение новой памяти.

По оценкам, доля SK hynix на мировом рынке памяти HBM по итогам 2022 года составила приблизительно 50 %. В текущем году, как ожидается, этот показатель окажется на уровне 46–49 %, в 2024 году — 47–49 %.

Чем активнее внедряются ИИ-системы, тем важнее становится роль памяти HBM и DDR5, а в особенности её энергоэффективность. Так, в крупномасштабных системах на базе NVIDIA A100 на долю памяти может приходиться до 40 % потребляемой энергии. Неудивительно, что крупные производители памяти объединяют свои усилия с академическими кругами, чтобы разработать более экономичную память нового поколения.

В частности, Samsung на базе CXL и 12-нм техпроцесса уже разработала чипы DDR5 ёмкостью 16 Гбайт, который на 23 % экономичнее в сравнении с аналогичными чипами предыдущего поколения. В содействии с Сеульским национальным университетом (Seoul National University) Samsung продолжает вести работы по дальнейшему снижению энергопотребления. Сам университет также ведёт исследования в этом направлении и уже разработал новую технологию DRAM Translation Layer. Ожидается, что её внедрение поможет снизить энергопотребление DRAM ещё на 31,6 %.

Источник: SK Hynix

Не отстаёт от Samsung и другой крупный производитель устройств памяти, компания SK Hynix. Она представила новое поколение LPDDR5X, в котором применен техпроцесс High-K Metal Gate (HKMG). Благодаря материалу с оптимизированной диэлектрической проницаемостью удалось впятеро повысить заряд в ячейке, снизив при этом токи утечки. В итоге новая память LPDDR5X от SK Hynix может похвастаться на 33 % более высокой производительностью при 20 % экономии в энергопотреблении, в сравнении с предыдущим поколением.

Компания MemVerge на суперкомпьютерной конференции ISC 2023 представила, как утверждается, первую в отрасли технологию общей мультисерверной памяти на основе стандарта Compute Express Link (CXL). Проект, получивший название Gismo (Global IO-Free Shared Memory Objects), призван повысить производительность серверных платформ.

Отмечается, что сетевые операции ввода-вывода и системы хранения являются узкими местами платформ распределённых приложений, интенсивно использующих данные. Решение Gismo как раз и призвано устранить данные проблемы. Речь идёт о концепции «бесконечной памяти».

Применены технология CXL 2.0 (PCIe 5.0), программные компоненты службы MemVerge Elastic Memory и аппаратные решения SK hynix (Niagara Pooled Memory System). Платформа позволяет хост-серверам динамически перераспределять память по мере необходимости, чтобы избежать дефицита DRAM. Иными словами, если приложению требуется больше памяти, нежели доступно физически, сервер может использовать ПО MemVerge для получения доступа к дополнительным объёмам DRAM на других серверах посредством CXL.

Источник: SK hynix

Утверждается, что революционная технология MemVerge призвана изменить ландшафт распределённых вычислений, давая компаниям возможность масштабировать свои операции и максимизировать производительность. Одним из первых участников проекта Gismo стала компания Timeplus — разработчик потоковой базы данных следующего поколения. Применение технологии позволило Timeplus значительно улучшить отказоустойчивость своей системы и повысить скорость обработки запросов.